IT之家7月3日报道，韩国媒体ETNews近日报道称，三星电子AVP先进封装部门已开发出用于AI半导体芯片的全新“3.3D”先进封装技术，目标是在2026年第二季度实现量产。据报道，该产品正在开发中。
韩媒提供的概念图显示，这种3.3D封装技术集成了三星电子的多项先进异构集成技术。
ETNews 概念图中，GPU（AI 计算芯片）垂直堆叠在LCC（IT 之家注：SRAM 缓存）之上，两部分粘合在一起，与三星电子现有的X -3D IC 类似类似于Cube的封装技术。
三星X-Cube封装技术在整个GPU+LCC缓存和HBM显存的互连方面，这种3.3D封装技术与I-CubeE 2.5封装技术有很多相似之处。
三星I-CubeE封装技术的整个GPU+LCC缓存和HBM都放置在铜RDL重分布中介层上，该层使用硅桥芯片实现裸片之间的直接连接，铜RDL重分布层放置在铜RDL重分布中介层之上载板。
该设计在大多数位置使用铜RDL 重新分布层，而不是成本昂贵10 倍的硅中介层，并且仅在需要时才引入硅桥。
接近三星电子的消息人士指出，与完全使用硅中介层的解决方案相比，这种设计可以降低22% 的生产成本，而且不会牺牲芯片性能。
此外，三星电子还在这项3.3D封装技术中引入了面板级封装（PLP），该技术使用大型方形载板代替有限面积的圆形晶圆，提高了封装生产效率。
韩国媒体报道称，三星电子已开发出新一代3.3D封装技术，在价格和生产效率方面具有显着优势，并且正在从目前由台积电主导的先进封装代工市场中的无晶圆厂设计公司手中夺取市场份额。我们的目标是获得许多订单。
版权声明：本文转载于网络，版权归作者所有。如有侵权，请联系本站编辑删除。